International Rectifier IRF8513TRPBF
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IRF8513TRPBF
1240-IRF8513TRPBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, SOP-8
1最小包装量--
IRF8513TRPBF详情
International Rectifier IRF8513TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
SOIC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)
8 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
0402
Case - mm
1005
Gross weight
0.03 g
Operating temperature
-55...125°C
容差
±20%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍外哑光锡
电容量
1µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电介质
X7T
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0155 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
49 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.4 W
饱和电流
1
Operating voltage
2.5V
IRF8513TRPBF拓展信息
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WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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