International Rectifier IRFB30N20D
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IRFB30N20D
1240-IRFB30N20D
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
1最小包装量--
IRFB30N20D详情
International Rectifier IRFB30N20D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
30 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.082 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
420 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
200 W
IRFB30N20D拓展信息
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WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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