International Rectifier IRFH5006TRPBF
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IRFH5006TRPBF
1240-IRFH5006TRPBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
1最小包装量--
IRFH5006TRPBF详情
International Rectifier IRFH5006TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
4.35
Transport packaging size/quantity
50*39*25/3000
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
QFN
Package Description
6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
Drain Current-Max (ID)
21 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍外哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0041 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
285 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250 W
饱和电流
1
IRFH5006TRPBF拓展信息
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WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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