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International Rectifier IRFR212

Name: IRFR212
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-IRFR212
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFR212

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-IRFR212

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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IRFR212 International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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IRFR212详情

技术参数

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International Rectifier IRFR212重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Drain Current-Max (ID)

2.1 A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

240
Reach合规守则

unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻

2.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.4 A
DS 击穿电压-最小值

200 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

25 W

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IRFR212拓展信息

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