International Rectifier IRLB3036PBF
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IRLB3036PBF
1240-IRLB3036PBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
1最小包装量--
IRLB3036PBF详情
International Rectifier IRLB3036PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
Housing material
GF - Nilon-66 (UL94V-0)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
5.60
Transport packaging size/quantity
58*58*30/3000
Mounting method
cable mounting
Dielectric strength
1500 (50 Hz, 1 min.) V
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
LEAD FREE PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
195 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
Connector type
Low voltage power connector Mini-Fit type (plug)
端子表面处理
镍外哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
深度
11.7 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Number of contacts
10 (2x5)
Contact resistance
10 mΩ max
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Insulation resistance
1000 MΩ min
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-25…+85 °C
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0024 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1100 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
290 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
380 W
高度
24 mm
宽度
22.2 (housing) mm
IRLB3036PBF拓展信息
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WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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