International Rectifier IRLL2705TRPBF
- 收藏
- 对比
IRLL2705TRPBF
1240-IRLL2705TRPBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, LEAD FREE, SOT-223, 3 PIN
1最小包装量--
IRLL2705TRPBF详情
International Rectifier IRLL2705TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
polyethylene
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
1.11
Transport packaging size/quantity
48*31.5*27/15000
Additional
with red stripe
Useful height (B)
120 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
TO-261AA
Package Description
LEAD FREE, SOT-223, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
5.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
PE bag with zip lock
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
transparent
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-261AA
漏极-源极导通最大电阻
0.051 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
110 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值
2.1 W
饱和电流
1
特征
zip-lock closure
宽度
80 mm
器件厚度
45 microns
IRLL2705TRPBF拓展信息
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
International Rectifier
International Rectifier








哦! 它是空的。