International Rectifier IRLMS6802TR

包装/外壳

SOT-23-6

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

供应商器件包装

Micro6™(SOT23-6)

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Other Names

*IRLMS6802TR IRLMS6802 IRLMS6802CT

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.6A (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Contains lead / RoHS non-compliant

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Compliant

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

2 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

-5.6 A

功率耗散

2 W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50 mOhm @ 5.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1079pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 5V

上升时间

33 ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

5.6 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

输入电容

1.079 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

50 mΩ

最大rds

50 mΩ

无铅

含铅