IRLU3105PBF
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International Rectifier IRLU3105PBF

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型号

IRLU3105PBF

utmel 编号

1240-IRLU3105PBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 55V 25A IPAK

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IRLU3105PBF International Rectifier MOSFET N-CH 55V 25A IPAK

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IRLU3105PBF详情

International Rectifier IRLU3105PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    I-PAK

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tube

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    25A (Tc)

  • 厂商

    International Rectifier

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRLU3105PBF

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Risk Rank

    5.82

  • Part Package Code

    TO-251AA

  • Drain Current-Max (ID)

    25 A

  • 系列

    HEXFET®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    37mOhm @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    710 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20 nC @ 5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    25 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.037 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    100 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    61 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    57 W

  • 场效应管特性

    -

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