参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
供应商器件包装
I-PAK
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A (Tc)
厂商
International Rectifier
Product Status
Obsolete
Package Description
LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRLU3105PBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.82
Part Package Code
TO-251AA
Drain Current-Max (ID)
25 A
系列
HEXFET®
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
子类别
FET 通用电源
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
37mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
710 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
25 A
漏极-源极导通最大电阻
0.037 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
61 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
57 W
场效应管特性
-