IS43DR16640B-3DBLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI

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型号

IS43DR16640B-3DBLI

utmel 编号

1266-IS43DR16640B-3DBLI

商品类别

存储器

封装

84-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM

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IS43DR16640B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM

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IS43DR16640B-3DBLI详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    84-TFBGA

  • 引脚数

    84

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    84

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    1Gb 64M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    220mA

  • 时钟频率

    333MHz

  • 访问时间

    450ps

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16b

  • 组织结构

    64MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 地址总线宽度

    16b

  • 密度

    1 Gb

  • 待机电流-最大值

    0.015A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    48

  • 交错突发长度

    48

  • 长度

    12.5mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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