IXYS IXBF9N160G

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5 (3 Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.6kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

4.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 5A, 27 Ω, 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

70W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

70W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6kV

最大集电极电流

7A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1600V

接通时间

140 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

7V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

120 ns

闸门收费

34nC

RoHS状态

ROHS3 Compliant