IXYS IXBH9N160G

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.6kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

4.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 5A, 27 Ω, 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

100W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

100W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6kV

最大集电极电流

9A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1600V

接通时间

340 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

7V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

190 ns

闸门收费

34nC

集极脉冲电流（Icm）

10A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅