Infineon Technologies IRG4PH20KDPBF
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IRG4PH20KDPBF
1211-IRG4PH20KDPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
--最小包装量--
IRG4PH20KDPBF详情
Infineon Technologies IRG4PH20KDPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.17V
Number of Elements
1
Test Conditions
800V, 5A, 50 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1998
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
通孔
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
电压 - 额定直流
1.2kV
最大功率耗散
60W
额定电流
11A
元素配置
Single
功率耗散
60W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
30ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
4.3V
最大集电极电流
11A
反向恢复时间
51 ns
JEDEC-95代码
TO-247AC
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
80 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
4.3V @ 15V, 5A
关断时间-标准值(toff)
730 ns
闸门收费
28nC
集极脉冲电流(Icm)
22A
Td(开/关)@25°C
50ns/100ns
开关能量
620μJ (on), 300μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRG4PH20KDPBF拓展信息
Infineon Technologies
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