IXFA102N15T
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IXYS IXFA102N15T

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型号

IXFA102N15T

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXFA102N15T

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK

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IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK

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IXFA102N15T详情

IXYS IXFA102N15T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    102A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    455W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HiPerFET™

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    PURE TIN

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    18m Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5220pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    87nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    102A

  • JEDEC-95代码

    TO-263AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.018Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    300A

  • DS 击穿电压-最小值

    150V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    750 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和IXYS & IXFA102N15T相似的参数规格。

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IXFA102N15T拓展信息

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