IXYS IXFB210N30P3

工厂交货时间

26 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

264

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

210A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1890W Tc

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, Polar3™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

46 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.5m Ω @ 105A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

16200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

268nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

210A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0145Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

550A

DS 击穿电压-最小值

300V

雪崩能量等级（Eas）

4000 mJ

高度

26.59mm

长度

20.29mm

宽度

5.31mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant