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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥87.704183
10
¥82.739792
100
¥78.056412
500
¥73.638119
1000
¥69.469924
型号
IXFH18N90P
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXFH18N90P
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-247-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-CH TO-247
起订量
--最小包装量--
¥
总价: ¥
单价: $
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IXFH18N90P详情
技术参数
PDF文档
型号对比
IXYS IXFH18N90P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
30 Weeks
底架
通孔
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247AD (IXFH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
540W Tc
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HiPerFET™, PolarP2™
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
540W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5230pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
97nC @ 10V
上升时间
33ns
漏源电压 (Vdss)
900V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
44 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
输入电容
5.23nF
漏源电阻
600mOhm
最大rds
600 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
技术文档: IXYS IXFH18N90P.
右边的3个型号有着和IXYS & IXFH18N90P相似的参数规格。
Through Hole
18A (Tc)
18 A
30 V
540W (Tc)
540 W
STMicroelectronics
-
18.5A (Tc)
18.5 A
250W (Tc)
250 W
Infineon Technologies
15A (Tc)
7.5 A
350W (Tc)
350 W
1000V
13A (Tc)
13 A
17.5A (Tc)
17.5 A
151W (Tc)
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IXFH18N90P拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
库存:210
型号:IXFN420N10T
封装:SOT-227-4, miniBLOC
库存:50
型号:IXTH48N65X2
¥70.628055
型号:IXFH46N65X2
¥53.443373
型号:IXFH60N65X2
¥82.372209
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