IXYS IXFH58N20

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

72 ns

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

已出版

2000

系列

HiPerFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

40mOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

58A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

58A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

恢复时间

200 ns

栅源电压

4 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅