IXYS IXFP12N50P

工厂交货时间

26 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

65 ns

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

已出版

2006

系列

HiPerFET™, PolarP2™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

500V

额定电流

12A

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1830pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

漏源击穿电压

500V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

宽度

4.83mm

长度

10.66mm

高度

9.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅