IXYS IXFX230N20T

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

247

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

230A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1670W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 8mA

包装

Tube

系列

GigaMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

雪崩 额定

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.67kW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 60A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

28000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

378nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

230A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

630A

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅