IXYS IXFX32N80Q3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1000W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1kW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

38 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6940pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 10V

上升时间

300ns

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

32A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.27Ohm

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

高度

21.34mm

长度

16.13mm

宽度

5.21mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅