IXYS IXGR24N120C3D1

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 20A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*24N120

引脚数量

247

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

4.2V

最大集电极电流

48A

反向恢复时间

220 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4.2V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

430 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

79nC

集极脉冲电流（Icm）

96A

Td（开/关）@25°C

16ns/93ns

开关能量

1.37mJ (on), 470μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant