IXGR35N120BD1详情
IXYS IXGR35N120BD1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
ISOPLUS247™
引脚数
247
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
Test Conditions
960V, 35A, 3 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
250W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXG*35N120
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
功率 - 最大
250W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
54A
反向恢复时间
40 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
105 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.5V @ 15V, 35A
关断时间-标准值(toff)
780 ns
闸门收费
140nC
集极脉冲电流(Icm)
200A
Td(开/关)@25°C
40ns/270ns
开关能量
900μJ (on), 3.8mJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXGR35N120BD1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS











哦! 它是空的。