IXYS IXGT72N60B3

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Test Conditions

480V, 50A, 3 Ω, 15V

包装

Tube

系列

GenX3™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

540W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

540W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

75A

接通时间

63 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

370 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

230nC

集极脉冲电流（Icm）

400A

Td（开/关）@25°C

31ns/150ns

开关能量

1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

160ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant