IXYS IXTA1N100P

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 50μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

系列

Polar™

已出版

2008

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

331pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.5nC @ 10V

上升时间

26ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.8A

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant