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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥52.02793
10
¥49.082953
100
¥46.304672
500
¥43.683655
1000
¥41.210997
型号
IXTA3N120
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXTA3N120
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans MOSFET N-CH 1.1KV 3A 3-Pin(2 Tab) TO-263
起订量
--最小包装量--
¥
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IXTA3N120详情
技术参数
PDF文档
型号对比
IXYS IXTA3N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
28 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
供应商器件包装
TO-263 (IXTA)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
Power Dissipation (Max)
200W Tc
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2004
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
4.5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
1.2kV
额定电流
3A
元素配置
Single
功率耗散
150W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
1.1kV
输入电容
1.35nF
漏源电阻
最大rds
4.5 Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: IXYS IXTA3N120.
右边的3个型号有着和IXYS & IXTA3N120相似的参数规格。
Surface Mount
3 A
3A (Tc)
20 V
150 W
200W (Tc)
Infineon Technologies
-
80 A
80A (Tc)
150W (Tc)
75V
150V
50A (Tc)
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IXTA3N120拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
库存:210
型号:IXFN420N10T
封装:SOT-227-4, miniBLOC
库存:50
型号:IXTH48N65X2
¥70.128076
型号:IXFH46N65X2
¥53.443373
型号:IXFH60N65X2
¥81.740112
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