IXYS IXTH10N100D2

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

695W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5320pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10A

DS 击穿电压-最小值

1000V

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

ROHS3 Compliant