IXYS IXTK90N25L2

工厂交货时间

28 Weeks

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA

Power Dissipation (Max)

960W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2008

系列

Linear L2™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

33MOhm

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 45A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

640nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

90A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

250V

栅源电压

2 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

unknown

无铅

无铅