IXTN36N50详情
IXYS IXTN36N50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Tc
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400W Tc
包装
Tube
已出版
2000
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
400W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 20mA
连续放电电流(ID)
36A
阈值电压
5V
双电源电压
500V
漏源电阻
120MOhm
栅源电压
5 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXTN36N50拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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