注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IXTN36N50
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXTN36N50
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
SOT-227-4, miniBLOC
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IXYS SEMICONDUCTOR IXTN36N50MOSFET Transistor, N Channel, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 V
起订量
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IXTN36N50详情
技术参数
型号对比
IXYS IXTN36N50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
18 Weeks
底架
底座安装
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Tc
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400W Tc
包装
Tube
已出版
2000
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
引脚数量
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
400W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 20mA
连续放电电流(ID)
36A
阈值电压
5V
双电源电压
500V
漏源电阻
120MOhm
栅源电压
5 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
右边的3个型号有着和IXYS & IXTN36N50相似的参数规格。
Chassis Mount
36 A
36A (Tc)
Active
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IXTN36N50拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
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型号:IXFN420N10T
封装:SOT-227-4, miniBLOC
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型号:IXTH48N65X2
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型号:IXFH46N65X2
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