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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥47.898784
10
¥45.18753
100
¥42.629751
500
¥40.216743
1000
¥37.940327
型号
IXTP450P2
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXTP450P2
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-220-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
起订量
--最小包装量--
¥
总价: ¥
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IXTP450P2详情
技术参数
PDF文档
型号对比
IXYS IXTP450P2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
24 Weeks
底架
通孔
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
Power Dissipation (Max)
300W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PolarP2™
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
附加功能
雪崩 额定
引脚数量
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
330m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2530pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
16A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
雪崩能量等级(Eas)
750 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: IXYS IXTP450P2.
右边的3个型号有着和IXYS & IXTP450P2相似的参数规格。
Through Hole
16 A
16A (Tc)
Lead Free
ON Semiconductor
19 A
19A (Tc)
18 A
18A (Tc)
Infineon Technologies
20 A
20A (Tc)
3.6 A
3.6A (Tc)
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IXTP450P2拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
库存:210
型号:IXFN420N10T
封装:SOT-227-4, miniBLOC
库存:50
型号:IXTH48N65X2
¥70.344864
型号:IXFH46N65X2
¥53.443373
型号:IXFH60N65X2
¥81.992796
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