IXYS IXTP4N60P

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

50 ns

Power Dissipation (Max)

89W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

系列

PolarHV™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

635pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅