IXYS IXTP70N075T2

工厂交货时间

24 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

31 ns

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Number of Elements

1

已出版

2008

系列

TrenchT2™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2725pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

上升时间

28ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

70A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant