STMicroelectronics STP78N75F4

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

61 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

78A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

DeepGATE™, STripFET™

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

11mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP78N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 39A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5015pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

76nC @ 10V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

78A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅