IXYS IXTQ30N60L2

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

Linear L2™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

335nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

30A

阈值电压

2.5V

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

2000 mJ

栅源电压

2.5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant