IXYS IXTU01N100

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

25W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

无铅代码

yes

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1kV

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

54pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.4A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅