IXXH50N60B3D1
IXXH50N60B3D1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥100.071594

  • 10

    ¥94.40716

  • 100

    ¥89.063364

  • 500

    ¥84.022038

  • 1000

    ¥79.266073

IXYS IXXH50N60B3D1

  • 收藏
  • 对比

型号

IXXH50N60B3D1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXH50N60B3D1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IXXH50N60B3D1
IXXH50N60B3D1 IXYS IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

单价: $

合计:

库存:1500

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXXH50N60B3D1详情

IXYS IXXH50N60B3D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.55V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    360V, 36A, 5 Ω, 15V

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX3™, XPT™

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    600W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 功率耗散

    600W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.8V

  • 最大集电极电流

    120A

  • 反向恢复时间

    25 ns

  • JEDEC-95代码

    TO-247AD

  • 接通时间

    75 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.8V @ 15V, 36A

  • 关断时间-标准值(toff)

    320 ns

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    70nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    200A

  • Td(开/关)@25°C

    27ns/100ns

  • 开关能量

    670μJ (on), 740μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和IXYS & IXXH50N60B3D1相似的参数规格。

查看更多

IXXH50N60B3D1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z