IXXR110N65B4H1详情
IXYS IXXR110N65B4H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75V
Test Conditions
400V, 55A, 2 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
GenX4™, XPT™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
455W
基本部件号
110N65
元素配置
Single
功率耗散
455W
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.2V
最大集电极电流
150A
反向恢复时间
100ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 110A
IGBT类型
PT
闸门收费
183nC
集极脉冲电流(Icm)
460A
Td(开/关)@25°C
38ns/156ns
开关能量
2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXXR110N65B4H1拓展信息
IXYS
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