IXXX100N60C3H1
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IXYS IXXX100N60C3H1

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型号

IXXX100N60C3H1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXX100N60C3H1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors GenX3 w/Diode XPT 600V

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IXXX100N60C3H1 IXYS IGBT Transistors GenX3 w/Diode XPT 600V

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IXXX100N60C3H1详情

IXYS IXXX100N60C3H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Test Conditions

    360V, 70A, 2 Ω, 15V

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX3™, XPT™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    695W

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    695W

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.2V

  • 最大集电极电流

    170A

  • 反向恢复时间

    140 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.2V @ 15V, 70A

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    150nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    340A

  • Td(开/关)@25°C

    30ns/90ns

  • 开关能量

    2mJ (on), 950μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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IXXX100N60C3H1拓展信息

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