IXYP20N65C3D1M
IXYP20N65C3D1M

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IXYS IXYP20N65C3D1M

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型号

IXYP20N65C3D1M

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXYP20N65C3D1M

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 650V 18A 50W TO220

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IXYP20N65C3D1M
IXYP20N65C3D1M IXYS IGBT 650V 18A 50W TO220

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IXYP20N65C3D1M详情

IXYS IXYP20N65C3D1M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 质量

    6.000006g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.27V

  • Test Conditions

    400V, 20A, 20 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX3™, XPT™

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    50W

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    50W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.5V

  • 最大集电极电流

    18A

  • 反向恢复时间

    30 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 20A

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    30nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    105A

  • Td(开/关)@25°C

    19ns/80ns

  • 开关能量

    430μJ (on), 350μJ (off)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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