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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 IXZ210N50L
IXZ210N50L
IXZ210N50L

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IXYS IXZ210N50L

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型号

IXZ210N50L

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXZ210N50L

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

6-SMD Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IXYS RF IXZ210N50L RF FET Transistor, 500 V, 10 A, 470 W, 175 MHz, DE-275

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IXZ210N50L
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IXZ210N50L详情

技术参数

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IXYS IXZ210N50L重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    6-SMD Module

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2004

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最大功率耗散

    470W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 频率

    175MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 上升时间

    4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • 晶体管类型

    N-Channel

  • 连续放电电流(ID)

    10A

  • 增益

    16dB

  • 功率 - 输出

    200W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    1Ohm

  • 电压-测试

    50V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: IXYS IXZ210N50L.

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