DU2860U
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MA-COM DU2860U

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型号

DU2860U

品牌

MA-COM

utmel 编号

1510-DU2860U

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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DU2860U MA-COM RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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DU2860U详情

MA-COM DU2860U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Screw

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    4

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Unit Weight

    0.892167 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    20

  • Manufacturer

    MACOM

  • Brand

    MACOM

  • RoHS

    Details

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    65 V

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 200 C

  • Minimum Operating Temperature

    -

  • Mounting Styles

    法兰安装

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    -

  • Id - Continuous Drain Current

    12 A

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    DU2860U

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

  • Risk Rank

    4.71

  • Drain Current-Max (ID)

    12 A

  • 包装

    Bulk

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    RADIAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-CRFM-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 工作频率

    175 MHz

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 输出功率

    60 W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 连续放电电流(ID)

    12 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 增益

    13 dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    12 A

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    159 W

  • 最高频段

    甚高频段

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

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DU2860U拓展信息

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