MA-COM MRF151

底架

Screw

包装/外壳

221-11-3

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

-

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

125 V

RoHS

Compliant

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

125 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

300 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

40 V

Unit Weight

1.085953 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

20

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

MACOM

Brand

MACOM

Id - Continuous Drain Current

16 A

Package

Tray

厂商

MACOM技术解决方案

Product Status

活跃

Voltage Rated

125 V

Rds On - Drain-Source Resistance

-

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Package Code

CASE 211-11

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MRF151

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

Risk Rank

1.54

Drain Current-Max (ID)

16 A

包装

Tray

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

额定电流

16A

最大功率耗散

300 W

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

16 A

频率

175 MHz

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

175 MHz

配置

Single

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

输出功率

150 W

测试电流

250 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

250 mA

漏源电压 (Vdss)

125 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

N-Channel

连续放电电流(ID)

16 A

栅极至源极电压(Vgs)

40 V

增益

22 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16 A

漏源击穿电压

125 V

DS 击穿电压-最小值

125 V

功率 - 输出

150W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

噪声图

-

电压-测试

50 V

最高频段

甚高频段

测试电压

50 V

产品类别

射频MOSFET晶体管

无铅

无铅