Microchip ARF463AP1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

自由悬挂

包装/外壳

Bead, Epoxy

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247

质量

38.000013 g

Package

Bag

厂商

Thinking Electronics Industrial Co.

Length - Lead Wire

-

Product Status

活跃

Continuous Drain Current Id

9

Base Product Number

ARF463

Voltage Rated

500 V

MSL

MSL 3 - 168 hours

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Pd - Power Dissipation

180 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Unit Weight

1.340411 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Forward Transconductance - Min

2 mS

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

9 A

Voltage, Rating

500 V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

13.5 ns

Rds On - Drain-Source Resistance

-

操作温度

-40°C ~ 125°C

系列

NTSE

包装

Tube

类型

射频功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

额定电流

9A

最大功率耗散

180 W

技术

MOSFET

额定电流

9 A

频率

81.36MHz

工作频率

100 MHz

配置

N-Channel

功率耗散

180

输出功率

100 W

接通延迟时间

5.6 ns

功率 - 最大

150 mW

上升时间

4.3 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

产品类别

射频MOSFET晶体管

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

连续放电电流(ID)

9 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

15dB

最高频率

100 MHz

最大输出功率

100 W

信道型

N

功率 - 输出

100W

电阻公差

±1%

噪声图

-

B 值公差

-

B25/85

-

电压-测试

125 V

B25/50

-

B25/100

-

测试电压

125 V

B25/75

-

B0/50

-

欧姆电阻@25°C

47k

产品类别

射频MOSFET晶体管

无铅

无铅