Microchip MDS1100

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

Screw, Surface Mount

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MDS1100

Risk Rank

5.61

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

系列

*

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

8.75 kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率耗散

8.75

箱体转运

BASE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65 V

最大集电极电流

100 A

增益

8.9 dB

转换频率

1.03 GHz

最大耗散功率(Abs)

8750 W

集电极电流-最大值(IC)

100 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

100

最高频段

L带

辐射硬化

无