Microchip Technology 0912GN-300V
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0912GN-300V
1610-0912GN-300V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
55-KR
大陆
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RF MOSFET Transistors TRAN, GaN, 960-1215 MHz, 300W, 50V
1最小包装量--
0912GN-300V详情
Microchip Technology 0912GN-300V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
55-KR
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
55-KR
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
14 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Mounting Styles
螺钉安装
Pd - Power Dissipation
650 W
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V to 0 V
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rated
150 V
系列
V
类型
射频功率MOSFET
额定电流
-
频率
960MHz ~ 1.215GHz
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
输出功率
320 W
测试电流
60 mA
晶体管类型
HEMT
增益
19 dB
功率 - 输出
300W
噪声图
-
电压-测试
50 V
0912GN-300V拓展信息
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