Microchip Technology 1011GN-1200VEL
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1011GN-1200VEL
1610-1011GN-1200VEL
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
55-Q03P
大陆
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RF MOSFET Transistors TRAN, GaN, 1030/1090 MHz, 1200W, 50V, EARLESS
1最小包装量--
1011GN-1200VEL详情
Microchip Technology 1011GN-1200VEL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
55-Q03P
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
55-Q03P
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
64 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Mounting Styles
法兰安装
Pd - Power Dissipation
2.4 kW
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V to 0 V
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rated
150 V
系列
V
类型
射频功率MOSFET
额定电流
-
频率
1.03GHz ~ 1.09GHz
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
输出功率
10.5 W
测试电流
150 mA
晶体管类型
HEMT
增益
20 dB
功率 - 输出
1200W
噪声图
-
电压-测试
50 V
1011GN-1200VEL拓展信息
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