Microchip Technology 1011GN-1600VG
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1011GN-1600VG
1610-1011GN-1600VG
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
55-Q11A
大陆
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RF MOSFET Transistors TRAN, GaN, 1030/1090 MHz, 1600W, 50V
1最小包装量--
1011GN-1600VG详情
Microchip Technology 1011GN-1600VG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
55-Q11A
供应商器件包装
55-Q11A
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
128 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Mounting Styles
螺钉安装
Pd - Power Dissipation
2.85 kW
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V to 0 V
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rated
150 V
系列
VG
类型
射频功率MOSFET
额定电流
-
频率
1.03GHz ~ 1.09GHz
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
输出功率
1.652 kW
测试电流
200 mA
晶体管类型
HEMT
增益
18.7 dB
功率 - 输出
1600W
噪声图
-
电压-测试
50 V
1011GN-1600VG拓展信息
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