Microchip Technology 2729GN-270V
- 收藏
- 对比
2729GN-270V
1610-2729GN-270V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
55-QP
大陆
立即发货

RF MOSFET Transistors TRAN, GaN, 2700-2900 MHz, 50V, 270W
1最小包装量--
2729GN-270V详情
Microchip Technology 2729GN-270V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
55-QP
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
55-QP
终端数量
2
晶体管元件材料
氮化镓
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
24 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Mounting Styles
法兰安装
Pd - Power Dissipation
517 W
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V to 0 V
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rated
125 V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Max
250 °C
Manufacturer Part Number
2729GN-270V
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.67
系列
V
类型
射频功率MOSFET
附加功能
HIGH RELIABILITY
额定电流
-
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
频率
2.7GHz ~ 2.9GHz
JESD-30代码
R-CDFM-F2
工作频率
2700 MHz to 2900 MHz
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
输出功率
270 W
测试电流
60 mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
HEMT
增益
15 dB
DS 击穿电压-最小值
125 V
功率 - 输出
290W
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
-
电压-测试
50 V
最高频段
S带
2729GN-270V拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。