Microchip Technology 2729GN-300VP
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2729GN-300VP
1610-2729GN-300VP
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
55-QP
大陆
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RF MOSFET Transistors PALLET, GaN, 2.7-2.9 GHz, 300W, 50V
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2729GN-300VP详情
Microchip Technology 2729GN-300VP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
55-QP
供应商器件包装
55-QP
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
48 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Mounting Styles
螺钉安装
Pd - Power Dissipation
740 W
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V to 0 V
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rated
125 V
系列
VP
类型
射频功率MOSFET
额定电流
-
频率
2.7GHz ~ 2.9GHz
工作频率
2700 MHz to 2900 MHz
输出功率
335 W
测试电流
75 mA
晶体管类型
HEMT
增益
15.3 dB
功率 - 输出
335W
噪声图
-
电压-测试
50 V
2729GN-300VP拓展信息
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