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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥171.964907
10
¥162.231043
100
¥153.048158
500
¥144.385049
1000
¥136.21231
Microchip Technology APT80GP60B2G
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- 对比
APT80GP60B2G
1610-APT80GP60B2G
晶体管 - IGBT - 模块
T-Max-3
大陆
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IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 80A, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT80GP60B2G详情
Microchip Technology APT80GP60B2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
T-Max-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
T-MAX™ [B2]
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Pd - Power Dissipation
1041 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
100 A
Base Product Number
APT80GP60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
1041 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 80A
IGBT类型
PT
产品
IGBT硅模块
APT80GP60B2G拓展信息
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